|Поз. | | | | |Обозна-чен|Наименование |Кол. |Примечание | |ие | | | | | |Катушки индуктивности | | | | | | | | |L1 |Индуктивность 183.5мГн (5( |1 | | |L2 |Индуктивность 199мГн (5( |1 | | | | | | | | |Конденсаторы | | | | | | | | |С1 |КД-2-1.56нФ (5( ОЖО.460.203 |1 | | | |ТУ | | | |С2 |КД-2-261пФ (5( ОЖО.460.203 |1 | | | |ТУ | | | |С3 |КД-2-26.1нФ (5( ОЖО.460.203 |1 | | | |ТУ | | | |С4 |КД-2-3.92нФ (5( ОЖО.460.203 |1 | | | |ТУ | | | |С5 |КД-2-523пФ (5( ОЖО.460.203 |1 | | | |ТУ | | | |С6 |КД-2-226нФ (5( ОЖО.460.203 |1 | | | |ТУ | | | |С7 |КД-2-3.79нФ (5( ОЖО.460.203 |1 | | | |ТУ | | | |С8 |КД-2-23.7пФ (5( ОЖО.460.203 |1 | | | |ТУ | | | | | | | | | |Резисторы ГОСТ7113-77 | | | | | | | | |R1 |МЛТ – 0.125 – 1.18кОм (10( |1 | | |R2 |МЛТ – 0.125 –759Ом (10( |1 | | |R3 |МЛТ – 0.125 –22.6Ом (10( |1 | | |R4 |МЛТ – 0.125 – 130Ом (10( |1 |R4=RтсVT1-R3 | |R5 |МЛТ – 0.125 – 11Ом (10( |1 | | |R6 |МЛТ – 0.125 –189Ом (10( |1 | | |R7 |МЛТ – 0.125 – 83.5Ом (10( |1 | | |R8 |МЛТ – 0.125 – 4.99Ом (10( |1 | | |R9 |МЛТ – 0.125 –12Ом (10( |1 |R9=RтсVT2-R8 | | | | | | | |Транзисторы | | | | | | | | |VT1, VT2 |КТ911А аА о.339150ТУ |2 | | | | | | | | | | | | |РТФ КП 468714.001 ПЭЗ | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |Перечень элементов |ТУСУР, РТФ, | | | | | | |гр. 180 | |Н. | | | | | | |контроль | | | | | | |Утв. | | | | | |